以伏安特性评估阴极特性方法的不足之处
-
1刘云鹏,罗恩泽.电子在双垒二极管中的共振隧穿[J].电子器件,1994,17(3):12-15.
-
2邓生贵.调制掺杂场效应管的电容和伏-安特性[J].Journal of Semiconductors,1990,11(7):521-526.
-
3吕惠民.SiC肖特基势垒二极管[J].半导体杂志,1997,22(2):41-47. 被引量:3
-
4尚正杰.对《线性电阻和非线性电阻的伏安特性曲线》实验的建议[J].物理实验,1992,12(4):179-180.
-
5贾正根.场发射阴极特性[J].真空电子技术,1994,7(2):16-21.
-
6常远程,张义门,张玉明.4H-SiC肖特基势垒二极管伏-安特性的解析模型[J].西安电子科技大学学报,2001,28(4):467-471. 被引量:5
-
7周华.p—InGaAlP/p—GaAs异质结构的电流—电压特性[J].发光快报,1993,14(6):36-39.
-
8杨瑞洪,陈仲甘.程控伏安单元的研制[J].红外技术,1996,18(3):45-48.
-
9叶波.JUGFET及其应用[J].微电子学,1994,24(3):23-26.
-
10王成新,高春晓,张铁臣,刘洪武,李迅,邹广田.N-型立方氮化硼的欧姆接触的制备[J].原子与分子物理学报,2000,17(3):556-558.
;