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SiH_4激光等离子体内H谱线的线型研究

Profile Analysis of H Lines in Laser-induced Silane Plasma
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摘要 本文利用OMA-Ⅲ系统测量了脉冲TEA CO_2激光诱发的SiH_4等离子体发光谱内H巴耳末系的H_α、H_β和H_γ线的线型及线宽。通过理论及实验分析,认为这些谱线的主要加宽机制为Stark加宽。由实验线型和理论线型的拟合得到等离子体的电子温度T≈40000K和电子密度N≈10^(17)cm^(-3)。 The profiles of H balmer H_α, H_β and H_γ lines in a pulsed TEA CO_2 laser induced silane plasma were studied with an OMA system(OMAⅢ).The results of experimental and theoretical analysis of the line shapes and widths suggested that the dominant broadening mechanism of the lines is Stark broadening. From fitting the measured H line to the theoretical results we got two parameters of the plasma i.e. electron temperreature T ≈40000K and electron desity N≈10^(17)cm^(-3).
机构地区 河北大学物理系
出处 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第3期150-151,共2页 Journal of Optoelectronics·Laser
基金 国家自然科学基金
关键词 SIH4 等离子体 发光光谱 激光 laser-induced silane plasme,Stark broadening.
  • 相关文献

参考文献1

二级参考文献7

  • 1董丽芳,半导体学报,1989年,10卷,280页
  • 2韩理,河北大学学报,1987年,1卷,72页
  • 3傅广生,物理学报,1987年,363卷
  • 4傅广生,中国激光,1987年,14卷,671页
  • 5毛友德,非晶态半导体,1986年
  • 6傅广生,应用激光联刊,1985年,5卷,6期,1页
  • 7团体著者,光谱线波长表,1970年

共引文献2

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