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一种新型LEC结构晶体管的研制

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摘要 本文介绍了一种新型低发射区浓度(LEC)结构的高电流增益晶体管3DA3807的设计与制造。着重阐述了它与一般常规晶体管比较所显示的结构特点和性能优势。讨论了在研制中遇到的一些问题,提供了一些有关的实际数据以及相应分析图表。
出处 《微电子技术》 2000年第6期20-24,共5页 Microelectronic Technology
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