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一种新型LEC结构晶体管的研制
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摘要
本文介绍了一种新型低发射区浓度(LEC)结构的高电流增益晶体管3DA3807的设计与制造。着重阐述了它与一般常规晶体管比较所显示的结构特点和性能优势。讨论了在研制中遇到的一些问题,提供了一些有关的实际数据以及相应分析图表。
作者
王文源
张爱忠
余志炎
浦荣生
周金龙
俞诚
机构地区
中国华晶电子集团公司分立器件总厂
出处
《微电子技术》
2000年第6期20-24,共5页
Microelectronic Technology
基金
.NULL.
关键词
LEC结构
低发射区浓度结构
3DA3807
晶体管
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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微电子技术
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