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Approximate Well Width and Optical Gain Formulas of 1 .555μm In_(1-x-y )Ga_y Al_x As Compressively Strained Quantum- Well Laser 被引量:2

1.55μm In_(1 - x - y) Ga_y Al_x As压缩应变量子阱激光器的近似阱宽和光增益公式(英文)
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摘要 Using Harrison's model and anisotropic parabolic approximation,the band structure of In1- x- y Gay Alx As compressively strained quantum wells is calculated.To design lasers with1.55μm wavelength,it is necessary to an- alyze the well width,differential gain,transparency carrier density and the characteristic gain for an arbitrary com- position.Some useful empirical formulas are also presented. 应用 Harrison模型和各向异性抛物带近似理论计算了 In1- x- y Gay Alx As压缩应变量子阱的能带结构 .为设计 1.55μm发射波长的激光器 ,对可能组分范围内材料的阱宽、微分增益、透明载流子浓度做了系统分析 。
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期11-17,共7页 半导体学报(英文版)
基金 国家自然科学基金! ( 6 99370 19) 吉林省优秀青年科学基金! ( 19990 5 2 9-2 ) 国家高技术 ( 86 3)研究和发展计划 !( 86 3-30 7-1
关键词 In1- x- y Gay Alx As QW linear gain differential gai 压缩应变 量子阱激光器 线性增益 近似阱宽 光增益公式
  • 相关文献

参考文献2

  • 1Li Zhanming,IEEE J Quantum Electron,1993年,29卷,346—354页
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同被引文献5

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  • 5Choi H K,Wang C A,Kolesar D F,et al.High Temperature Operation of AlInGaAs/AlGaAs strained single Quantum Well Diode Lasers[J].IEEE Photonics Technology Letters,1991,3(10):857-859.

引证文献2

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