FINFET技术

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摘要 CMOS的发展紧随摩尔定律的步伐不断缩小特征尺寸的同时,不断增加的亚阈值电流和栅介质漏电流成为了阻碍工艺进一步发展的主要因素。于是减少漏电流,提高器件的稳定性成为CMOS向22nm以下节点发展的重要挑战.独特的FinFET器件结构在抑制短沟道效应方面有着绝对的优势。本文将介绍FinFET技术以及它如何减少功耗和提高器件的性能。

作者朱范婷

机构地区上海交通大学微电子学院

出处《数字技术与应用》 2014年第1期66-68,共3页 Digital Technology & Application

关键词低功耗短沟效应

分类号 TP335 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]

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