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ARM与中芯国际扩展28nm制程工艺IP合作
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摘要
ARM与中芯国际近日共同宣布，双方针对ARMArtisan物理IP签订合作协议，为中芯国际的28nmpolySiON（PS）制程工艺提供高性能、高密度、低功耗的系统级芯片（SoC）设计支持。
出处
《中国集成电路》
2014年第3期2-3,共2页
China lntegrated Circuit
关键词
制程工艺
合作协议
ARM
国际
系统级芯片
高密度
低功耗
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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中国集成电路
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