Vishay推出具有业内最低RDS（on）的P沟道MOSFET

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摘要日前，Vishay Intertechnology，Inc．（威世科技）宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET——Si7157DP，扩充其TrenchFET P沟道GenIII功率MOSFET。Vishay SiliconixSi7157DP在-10V和-4．5V电压下的导通电阻分别低至0．0016Ω和0．0020Ω，可提高移动电子设备的效率。

出处《中国集成电路》 2014年第3期3-3,共1页 China lntegrated Circuit

关键词 P沟道MOSFET RDS(ON) 功率MOSFET 低导通电阻电子设备 INC

分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]

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