第3代半导体产业发展概况被引量：3

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摘要第3代半导体是指以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、金刚石、氧化锌（ZnO）为代表的宽禁带半导体材料，各类半导体材料的带隙能比较见表1。与传统的第1代、第2代半导体材料硅（Si）和砷化镓（GaAs）相比，第3代半导体具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、

作者于灏蔡永香卜雨洲谢潜思

机构地区北京新材料发展中心

出处《新材料产业》 2014年第3期2-7,共6页 Advanced Materials Industry

关键词半导体产业第3代发展概况宽禁带半导体材料饱和漂移速度禁带宽度击穿电场碳化硅

同被引文献28

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新材料产业

2014年第3期

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