摘要
为了得到光电化学性质稳定且具有宽的光吸收范围的光电极材料, 给出了一种禁带宽度梯度化的氧化物半导体薄膜电极的设计. 用溶胶凝胶法将不同V/Ti比的溶胶逐层涂于基板上, 通过热处理得到了禁带宽度梯度化的Ti1-xVxO2薄膜电极. XPS结果显示所得薄膜中形成了组成梯度. 这种Ti1-xVxO2薄膜电极的光电化学性质稳定, 光生伏打约为360 mV, 可见光区具有明显的光电流. 与纯的TiO2薄膜电极相比, Ti1-xVxO2薄膜电极的光电流起始电压正移了. 这是由于电极表面富集的钒形成了电子空穴复合中心. Ti1-xVxO2的导带最低能级比TiO2的低可能是引起正移的另一原因. 阻抗分析表明Ti1-xVxO2的受主密度比TiO2的高.
出处
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第1期28-31,共4页
Chinese Science Bulletin
基金
国家自然科学基金!(批准号: 59902006
69890230)
教育部留学人员科研启动基金
