日本产综研开发出用电压对MTJ元件进行磁化控制的技术

日本产业技术综合研究所纳米自旋电子研究中心开发出用电压对用于MRAM（非挥发性固态磁性存储器）等存储器元件的强磁性隧道结（MTJ）元件进行磁化控制的技术，效率比以前电流驱动方式提高3倍。这是通过减小强磁性层厚度，使其超薄膜化，并采用两层MgO绝缘层夹住强磁性层的积层结构实现的。该研究成果有望推进白旋电子器件的低耗电化及新功能元件的开发。