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中科院二维GaS超薄半导体基础研究获进展

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摘要中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室在二维GaS超薄半导体基础研究领域取得新进展。二维半导体材料拥有独特的物理性质，是目前纳米交叉研究领域的研发热点，由于其具有较大的比表面积，因而具有良好的气敏传感能力。具有半导体带隙的金属硫化物具有优越的性能，并能进行复杂的器件结构设计。

出处《军民两用技术与产品》 2014年第3期24-24,共1页 Dual Use Technologies & Products

关键词中国科学院半导体研究所基础研究 GAS 二维超薄中科院国家重点实验室半导体材料

分类号 TN3-24 [电子电信—物理电子学]

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2014年第3期

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