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半导体所在二维GaS超薄半导体的基础研究中取得新进展
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摘要
中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室博士后杨圣雪、博士生李燕,在李京波研究员、李树深院士和夏建白院士的团队中,在二维GaS超薄半导体的基础研究中取得新进展。相关成果发表在2014年2月7日英国皇家化学会主办的《纳米尺度》(Nanoscale)上,并被选为“热点论文”(HotArticle)。
机构地区
中国科学院半导体研究所
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期307-307,共1页
Journal of Synthetic Crystals
关键词
中国科学院半导体研究所
基础研究
GAS
超薄
二维
国家重点实验室
纳米尺度
博士后
分类号
TN3-24 [电子电信—物理电子学]
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人工晶体学报
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