用等离子氧化法制作的含钴氧化铁薄膜介质的记录特性

首先用CoFe合金靶在氧气气氛中以反应性溅射法形成CoO－F#3O4薄膜，然后用两种方法氧化，使之转变为Co-γ－Fe2O3，制成薄膜磁盘。所用氧化法之一是以前提出的在大气中加热的热氧化法；另一种是笔者最近提出的照射氧化等离子的等离子氧化法。这种氧化等离子是利用电子回旋共振微波等离子生成法和由He产生的冷阴极电离作用生成的。用等离子氧化法制作的磁性介质与用大气中热氧化制作的磁性介质相比，电磁转换特性和记录密度特性基本相同，噪声特性显得更好一些。另外，利用该介质的高矫顿力特性，将其用作母盘时，可对1600Oe的磁性介质进行磁性复制。