摘要
本文基于半导体材料积分光荧光测试的原理 ,叙述在三代微光像增强器光阴极组件制作工艺过程中光荧光强度的变化规律及其测试结果 ,对其作出理论解释 ,并且说明如何依此规律对工艺过程进行监控。
The change law and measured results of flourescence intensity in the manufacturing process of photo- cathode module of Gen.3low- light level image intensifier are described on the basis of integrating flourenscence test principle of semiconductor material.
出处
《应用光学》
CAS
CSCD
2000年第6期10-12,35,共4页
Journal of Applied Optics