薄膜材料光学参量的测量被引量：1

下载PDF

导出

摘要介绍了薄膜材料光学参量测量实验的原理和方法以及对 Ga N膜的测量结果 .

作者王艳辉段家忯姚坤童玉珍张国义

机构地区大连理工大学物理系北京大学物理系

出处《物理实验》 2000年第10期13-15,共3页 Physics Experimentation

关键词薄膜材料光学参量光谱仪透过率氮化镓

参考文献5

1梁春广,张冀.GaN——第三代半导体的曙光[J].Journal of Semiconductors,1999,20(2):89-99. 被引量：87
2[4]Kubota K et al.Preparation and properties of Ⅲ -Ⅴnitried thin films.J.Appl.Phys.,1989,66(7):2984
3[5]Strite S,Morkoc H.GaN,AIN and InN:A review.J.Vac.Sci.Technol.,1992,B(4):1237
4[6]Mandy MY et al.Refractive index of InGaN/GaN quantum well.J.Appl.Phys.,1998,84 (11):6312
5[7]Demiryont H et al.Eeffects oxygen content on the optical properties of tantalum oxide films deposited by ion-beam sputtering.Applied Optics,1985,24(4):490

1高海永,庄惠照,薛成山,王书运,董志华,李忠.氮化Si基ZnO/Ga_2O_3制备GaN薄膜[J].微纳电子技术,2004,41(6):26-29. 被引量：1
2王艳辉.研究性实验:GaN光学特性研究[J].物理与工程,2004,14(4):21-23.
3曲钢,徐茵.GaN薄膜生长实时监控系统的实现[J].半导体技术,2004,29(9):70-73. 被引量：1
4邵嘉平,郭文平,胡卉,郝智彪,孙长征,罗毅.GaN基绿光LED材料蓝带发光对器件特性的影响[J].Journal of Semiconductors,2004,25(11):1496-1499. 被引量：2
5曹文田,孙振翠,魏芹芹,薛成山,孙海波.热壁化学气相沉积Si基GaN晶体膜的研究[J].稀有金属材料与工程,2004,33(11):1226-1228.
6谢自力,张荣,毕朝霞,刘斌,修向前,顾书林,江若琏,韩平,朱顺明,沈波,施毅,郑有炓.InN材料及其应用[J].微纳电子技术,2004,41(12):26-32. 被引量：7
7郎佳红,顾彪,徐茵,秦福文,曲钢.蓝宝石衬底分步清洗及其对后续氮化的影响[J].半导体技术,2005,30(1):57-60. 被引量：1
8蔡方华.“村官腐败”是农村社会肌体中的毒瘤[J].决策探索,2005(1):33-33. 被引量：2
9李庚伟,吴正龙,邵素珍,张建辉,刘志凯.氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的研究[J].材料导报,2005,19(2):109-111. 被引量：5
10魏芹芹,薛成山,孙振翠,曹文田,庄惠照.氨化Si基Ga_2O_3/Al_2O_3制备GaN薄膜[J].稀有金属材料与工程,2005,34(2):312-315. 被引量：5

1Ichimura M, Takeuchi K, Ono Y, et al. Electrochemical deposition of SnS thin films[J]. Thin Solid Films, 2000, 98 : 361 - 362.
2Bube R H. Photoconductivity of Solids [ M ]. New York : Wiley. 1960.233.
3Ei_Nahass M,Zeyada H M,Aziz M S,et al. Optical properties of thermally evaporated SnS thin films [ J ]. Optical Material,2002, (20) : 159 - 170.
4Abou Sham A, Zeyada H M. Electronic dielectric constants of thermally evaporated SnS thin films[ J]. Optical Material,2003, (24) :555 - 561.
5Tanusevski A, Poelman D. Optical and photoconductive properties of SnS thin films prepared by electron beam evaporation [ J ]. Solar Energy Material & Solar cells, 2003, (80) :297 - 303.
6耿新华,孙云,王宗畔,李长健.薄膜太阳电池的研究进展[J].物理,1999,28(2):96-102. 被引量：37
7施小忠,汪乐,夏冠群.局部旁路漏电对太阳电池结特性的影响[J].太阳能学报,1999,20(2):209-215. 被引量：2
8邵烨,郑家贵,蔡道林,张静全,蔡伟,武莉莉,蔡亚平,李卫,冯良桓.Cd_(1-x)Zn_xTe多晶薄膜的制备、性能与光伏应用[J].Journal of Semiconductors,2003,24(2):183-188. 被引量：7
9廖华,林理彬,刘祖明,陈庭金.多晶硅薄膜太阳电池厚度和晶粒尺寸对其性能的影响[J].太阳能学报,2003,24(2):264-268. 被引量：18

物理实验

2000年第10期

内容加载中请稍等...