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窄禁带半导体光电二极管的最新进展(下)

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摘要 隧道电流和R0A乘积主要取决于掺杂浓度.图5表示77 K温度工作、一面突变的HgCdTe、PbSnTe、PbSnSe光电二极管(Eg=0.1 eV)的R0A乘积与掺杂浓度的关系.对于HgCdTe和铅盐探测器来说,要想产生高数值的RoA乘积,就分别需要1016 cm-3和1017 cm-3(或略少些)的掺杂浓度.由于要避免产生隧道效应而所能获得的最大掺杂浓度是Ⅳ族光电二极管比HgCdTe光电二极管要高一个数量级[11].这是由于前者的介电常数εs很高,因为隧道效应对RoA乘积的贡献包含着exp[常数m*εs/N)1/2Egl因子,亦即呈现指数增加的关系.
作者 Antoni Rogalski Manijeh Razeghi 贡树行
机构地区 波兰华沙军事技术大学 美国西北大学电子工程和计算机科学系 不详
出处 《红外》 CAS 2001年第1期26-32,共7页 Infrared
关键词 窄禁带半导体光电二极管 红外探测器
分类号 TN365 [电子电信—物理电子学]
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红外
2001年 第1期

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