用蒙特卡罗法计算X射线在重金属界面的剂量增强系数被引量：13

MONTE-CARLO CALCULATION OF X-RAY DOSE ENHANCEMENT FACTOR NEARBY HIGH Z METAL CONNECTED INTERFACE

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摘要当X射线射入不同材料组成的界面时 ,在低Z材料的一侧将产生剂量增强 .介绍了界面剂量增强效应的基本原理 ,并用蒙特卡洛程序计算了钨硅、钽硅、钨二氧化硅和钽二氧化硅界面的剂量增强系数 . The dose would be enhanced on the low-Z material side when X-ray enters the interface constructed with two different materials. The mechanism of dose enhancement has been discussed and the Dose Enhancement Factors of W-Si,W-SiO2,Ta-Si; and Ta-SiO2 interfaces are calculated by the Monte-Carlo method.

作者牟维兵陈盘训

机构地区中国工程物理研究院西南核物理与化学研究所中国工程物理研究院电子工程研究所

出处《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期189-192,共4页 Acta Physica Sinica

关键词 X射线界面辐射损伤剂量增强系数重金属蒙特卡罗法大规律COMOS电路 X-ray interface radiation impairment dose-enhancement-factor

分类号 TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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