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平均键能E_m的物理内涵探讨 被引量:2

STUDY ON PHYSICAL CONNOTATION OF AVERAGE BOND ENERGY E_m
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摘要 在面心立方 (fcc)、体心立方 (bcc)和六角密堆积 (hcp) 3种不同结构晶体的自由电子能带模型中 ,发现 4个最低能带与 5个次低能带本征值的平均能量 (称为平均键能 ,Em)与费米能级 (EF)相当接近 ;并进一步在hcp结构的钛(Ti)、锆 (Zr)和铪 (Hf)以及bcc结构的铁 (Fe)等金属中 ,采用从头赝势能带计算方法和平均键能计算方法 ,证实在这些金属的实际能带中 ,平均键能 (Em)值仍然非常接近于费米能级 (EF)值 .该发现有助于进一步了解平均键能(Em)的物理内涵 . In free electron band model of three different crystal structures, face-centered cubic (fcc),body-centered cubic (bcc), and hexagonal close-packed (hcp) structures,we fine that the average energy of the four lowest band eigenvalues and the five sub-low band eigenvalues (called as average bond energy E-m) is rather close to Fermi level E-F. Meanwhile,we also confirm that this conclusion still holds for the practical band in some metals,such as Ti,Zr and I-If with hcp structure as well as Fe with bcc structure etc.,using ab initio pseudopotential and average bond energy methods. Thereby one can further understand the physical connotation of average bond energy E-m.
出处 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期273-277,共5页 Acta Physica Sinica
基金 福建省自然科学基金! (批准号 :E9910 0 0 5 )资助的课题
关键词 平均键能 费米能级 能带结构 半导体 异质结 average bond energy Firmi level band structure
  • 相关文献

参考文献5

二级参考文献22

  • 1王仁智,物理学报,1988年,37卷,1585页
  • 2黄美纯,厦门大学学报,1986年,25卷,270页
  • 3Chen A B,Phys Rev B,1981年,23卷,5360页
  • 4王仁智,J Phys C,1992年,4期,8083页
  • 5王仁智,Sci Chin A,1992年,39卷,45页
  • 6王仁智,物理学报,1990年,39卷,1135页
  • 7王仁智,Phys RevB,1995年,51卷,1935页
  • 8Ke S H,Phys Rev B,1994年,49卷,10495页
  • 9王仁智,半导体学报,1992年,13卷,252页
  • 10王仁智,物理学报,1991年,40卷,1683页

共引文献12

同被引文献13

  • 1李书平,王仁智.金属-半导体超晶格中界面电荷的生成机理[J].物理学报,2004,53(9):2925-2930. 被引量:1
  • 2Wang R Z, Huang M C, Ke S H. Ab initio calculations of valence-band offsets for lattice-matched heterojunctions. Science in China,1993,A36:319
  • 3Lazzarino M, Scarei G, Rubini S, et al. Al/ZnSe (100) Schottky-barrier height versus initial ZnSe surface reconstruction.Phys Rev, 1998, B57:R9431
  • 4Rubini S, Pelucchi E, Lazzarino M, et al. Ideal unreactive metal/semiconductor interfaces, The case of Zn/ZnSe(001). Phys Rev,2001,B63:235307
  • 5Berthod C, Binggeli N, Baldereachi A. Schottky barrier heights at polar metal/semiconductor interfaces. Phys Rev,2003, B68:085323
  • 6Andersen O K. Linear methods in band theory. Phys Rev,1975,B12:3060
  • 7Christensen N E. Dipole effects and band offsets at semiconductor interfaces. Phys Rev, 1988, B37:4528
  • 8Jarborg T, Freeman A J. Self-consistent LMTO to the electronic structure of semiconductors: GaAs. Phys Lett, 1979,74A(5) :349
  • 9Van de Walle C G.Band lineups and deformation potentials in the model-solid theory. Phys Rev, 1989. B39 : 1871
  • 10李书平,王仁智,郑永梅,蔡淑惠,何国敏.平均键能方法在应变层异质结带阶研究中的应用[J].物理学报,2000,49(8):1441-1446. 被引量:4

引证文献2

二级引证文献3

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