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N沟道VDMOS器件材料选择 被引量:2

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摘要 制做N沟道VDMOSFET器件的材料的两个关键参数是材料外延层电阻率和外延层厚度,在VDMOS器件的开发研制和生产过程中快速准确地选择材料是赢得时间、赢得市场的重要因素。VDMOS器件的耐压和工艺过程决定了材料的外延层电阻率和外延层厚度,通过进行理论计算,阐述了理论在实践生产过程中的局限性和制约因素,对理论的计算结果进行了客观地修正。
出处 《宜春学院学报》 2014年第3期27-29,共3页 Journal of Yichun University
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参考文献5

二级参考文献6

  • 1[1]KRISHNA SHENAI,CHARLES S.KORMAN等.IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS.1989,10(3):101~103.
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共引文献15

同被引文献10

引证文献2

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