期刊文献+

N沟道VDMOS器件材料选择 被引量:1

下载PDF
导出
摘要 制做N沟道VDMOSFET器件的材料的两个关键参数是材料外延层电阻率和外延层厚度,在VDMOS器件的开发研制和生产过程中快速准确地选择材料是赢得时间、赢得市场的重要因素。VDMOS器件的耐压和工艺过程决定了材料的外延层电阻率和外延层厚度,通过进行理论计算,阐述了理论在实践生产过程中的局限性和制约因素,对理论的计算结果进行了客观地修正。
出处 《宜春学院学报》 2014年第3期27-29,共3页 Journal of Yichun University
  • 相关文献

参考文献5

二级参考文献6

  • 1[1]KRISHNA SHENAI,CHARLES S.KORMAN等.IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS.1989,10(3):101~103.
  • 2[2]Krishna Shenai.IEEE Transactions On Electron Devices.1990, 37(4):1141~1151.
  • 3[3]Krishna Shenai.IEEE Transactions on Electron Devices.1992,39(5):1252~1254.
  • 4[4]Kevin J. Fischer.Krishna Shenai.IEEE Transactions On Electron Devices,1995.42(3):555~563.
  • 5[5]S. C. SUN and JAMES D. PLUMMER.IEEE Transactions On Electron Devices.1980,27(2): 356~366.
  • 6[6]J. Rebollo, E. Figueras等. Solid-State Electronics.1987,30(2):177~180.

共引文献15

同被引文献6

  • 1苏延芬,刘英坤.Trench MOSFET的研究与进展[J].半导体技术,2007,32(4):277-280. 被引量:12
  • 2张波.功率半导体技术方兴未艾[EB/OL].[2015-04-15]http://www.docin.com/p-389013003.html.
  • 3JUANG M H,SUN L C,CHEN W T,et al.A process simplifica-tion scheme for fabricating self-aligned silicided trench-gatepower MOSFETs[J].Solid-State Electronics,2001,45(1):169-172.
  • 4JUANG M H,CHEN W T.Fabrication of trench-gate powerMOSFETs by using a dual doped body region[J].Solid-StateElectronics,2004,48(1):1079-1085.
  • 5马万里,赵文魁.沟槽型VDMOS源区的不同制作方法研究[J].半导体技术,2011,36(11):840-843. 被引量:3
  • 6唐红祥,计建新,孙向东,孙永生,曹亮.高压Trench IGBT的研制[J].半导体技术,2012,37(4):258-262. 被引量:3

引证文献1

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部