130nm嵌入式Flash产品VPOS失效与工艺改善

本文通过发生在某个130nm线宽嵌入式Flash产品上的VPOS失效分析,发现失效芯片的VPOS电压大部分被钳制在5V左右(正常应该为7.2V)。通过FPGA植入动态程序、电学和物理失效分析,发现HV GOX(高压栅氧)电容的边缘位置的氧化膜,作为电容介质层,较正常芯片薄,从而成为电容BV(Breakdown Voltage)下降及漏电,并最终导致VPOS失效的根本原因。作为改善对策,通过降低光刻胶固胶步骤温度,改善光刻胶边缘的翘曲状态,减少湿法刻蚀的氧化膜侧向刻蚀损失,达到防止HV GOX(高压栅氧)边缘变薄目的 ,获得到了改善。