摘要
SiC是制造高温半导体压力传感器的理想材料。介绍了在Si衬底上外延生长 3C -SiC薄膜和用它制作的SiC高温压力传感器 ,并对研制结果进行了分析。简单介绍了其它几种SiC压力传感器的特点、结构和制作方法。
SiC is an ideal material for manufacturing higy temperature pressure sensor.The films of cubic SiC are heteroepitaxially grown on Si substrates for SiC high temperature pressure sensor.The characteristics,structure,manufacture and results of some types of SiC pressure sensors are briefly introduced.
出处
《传感器技术》
CSCD
北大核心
2001年第2期1-3,共3页
Journal of Transducer Technology
关键词
压力传感器
碳化硅
薄膜
pressure sensor
high temperature
SiC
films
