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基于MEDICI的新型高压SOIP-LDMOS的仿真优化
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摘要
本文以一个利用Triple RESURF结构实现的新型高压SOI P-LDMOS器件的实例来具体说明如何利用TCAD工具MEDICI对已知的器件结构进行仿真,并根据性能需要优化器件相关参数。
作者
赵海翔
机构地区
电子科技大学微电子与固体电子学院
出处
《电子世界》
2014年第6期100-102,共3页
Electronics World
基金
电子科技大学大学生创新训练项目<低阻CMOS兼容P-LDMOS设计与仿真>的研究成果之一
关键词
MEDICI仿真
新型高压SOI
P—LDMOS器件
参数优化
分类号
TN929.533 [电子电信—通信与信息系统]
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