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基于MEDICI的新型高压SOIP-LDMOS的仿真优化

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摘要 本文以一个利用Triple RESURF结构实现的新型高压SOI P-LDMOS器件的实例来具体说明如何利用TCAD工具MEDICI对已知的器件结构进行仿真,并根据性能需要优化器件相关参数。
作者 赵海翔
出处 《电子世界》 2014年第6期100-102,共3页 Electronics World
基金 电子科技大学大学生创新训练项目<低阻CMOS兼容P-LDMOS设计与仿真>的研究成果之一
  • 相关文献

参考文献2

  • 1Zhou Kun,Luo Xiao-Rong,Fan Yuan-Hang, Luo Yin- Chun,Hu Xia-Rong, and Zhang Bo 2013 Chin.Phys.B 22067306.
  • 2Tingting Hual,Yufeng Guo,Gene Sheu.A 2D Analytical Model of Bulk-silicon Triple RESURF Devices. ICSICT,2010:1850-1852.

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