以铝钨为金属层的半导体桥等离子气体电子密度检测

为了更好地理解半导体桥的放电性能，我们用微波谐振探测技术对半导体的等离子气体电子密度进行了检测。这一方法简便易用，而且在真空中（≤10^-5Torr)测量半导体桥所产生的随时间变化的等离子气体密度时是非常灵敏的。这一与时间相关的技术方法是建立在对冷等离子气体介电常数测量的基础之上的。SCB所产生的等离子气体会导致探头的谐振频率产生一个偏移。在这个应用中，由于屏蔽效应、细小的桥区域以及未知的复合离子因素，使得使用本方法要比用Langmuir探测法效果好得多。我们的实验结果表明，随着输入能量的增加，SCB所产生的等离子气体的电子密度也趋于增加，但钨金属层半导体桥所产生的等离子气体中的电子密度，在输入能量很高时基本上恒定不变。