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提高串型接口的NOR Flash Memory读取数据频率的设计方法

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摘要 本文介绍了一种新的Flash Memory快闪存储器的设计方法,运用该方法可以有效地提高串型接口NOR Flash Memory读取数据的频率。这种设计方法采用对Memory存储器中的寄生电容用输入地址进行控制,使其在不同的时间段进行充电,达到Flash Memory读取数据所需的电压可以在很短的时间内达到读取数据所要求满足的电压的目的,从而提高了存储器数据读取的速度。同时此设计方法取消了数据读取过程中不必要的对寄生电容的充电和放电过程,降低了对电源的功耗,有效提升产品的竞争力。
作者 孙丽莉
出处 《科技资讯》 2014年第7期33-34,共2页 Science & Technology Information
  • 相关文献

参考文献1

  • 1拉扎维(Razavi.B.).模拟cMOs集成电路设计[M].陈贵灿,译.4版.西安:西安交通大学出版社,2005:338-341.

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