期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
IR推出坚固耐用100V FastIRFET PQFN 5×6功率MOSFET为通信电源应用提供基准性能
下载PDF
职称材料
导出
摘要
全球功率半导体和管理方案领导厂商一国际整流器公司(InternationalRectifier,简称IR)推出100VFastlRFET功率MOSFETIRFH7185TRPhF,为通信应用中的DC—DC电源提供基准性能。
出处
《电子设计工程》
2014年第7期28-28,共1页
Electronic Design Engineering
关键词
功率MOSFET
通信应用
通信电源
性能
基准
国际整流器公司
耐用
IR
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
0
参考文献
0
共引文献
0
同被引文献
0
引证文献
0
二级引证文献
0
1
IRFH7185TRPbF:MOSFET[J]
.世界电子元器件,2014(5):25-25.
2
郑畅.
IR推出坚固耐用100 V FastIRFET PQFN 5×6功率MOSFET[J]
.半导体信息,2014(2):7-7.
3
AUIRFN8459/8458:功率MOSFET[J]
.世界电子元器件,2014,0(11):36-36.
4
多模多频单芯片收发IC[J]
.今日电子,2012(4):66-66.
5
赵隽琪.
思博伦通信数据中心网络整体分析方案[J]
.电信网技术,2009(9):59-66.
6
为数据中心提供整体测试方案[J]
.电信网技术,2011(9):90-95.
电子设计工程
2014年 第7期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部