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电子浴辅助阴极电弧源法合成AlN薄膜机理初探 被引量:1

Initial Mechanism Discuss on Synthesis of AlN Thin Film by Activated Reactive Ion Plating with Cathode Arc Source Assisted by Electrons Bath
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摘要 研究了电子浴辅助阴极电弧源法合成 Al N薄膜的形核生长过程 。 The nucleation and growth process of AlN thin film synthesized by activated reactive ion plating with cathode arc source assisted by electrons bath was researched.At the same time,the growth mechanism of AlN thin film was initially discussed.
出处 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2001年第1期5-6,共2页 Hot Working Technology
基金 山西省青年基金资助项目!项目编号 :981 0 2 6
关键词 阴极电弧源法 ALN薄膜 合成 电子浴 离子镀 cathode arc source aluminium nitride thin film mechanism
  • 相关文献

参考文献5

二级参考文献8

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共引文献3

同被引文献7

引证文献1

二级引证文献1

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