摘要
采用0.18μm CMOS SOI工艺技术研制加工的单刀双掷射频开关,集成了开关电路、驱动器和静电保护电路。在DC^6GHz频带内,测得插入损耗0.7dB@2GHz、1dB@4GHz、1.5dB@6GHz,隔离度37dB@2GHz、31dB@4GHz、27dB@6GHz,在5GHz以内端口输入输出驻波比≤1.5:1,输入功率1dB压缩点达到33dBm,IP3达到42dBm。可应用于移动通信系统。
A single-pole double-through（SPDT） RF switch has been designed and fabricated using 0.18 μm CMOS SOI technology. It integrates switch circuits, drivers and ESD protect circuits. The measurement results are as follows： in the frequency range of DC-6 GHz, insertion loss≤0.7 dB@2 GHz, 41 dB@4 GHz,≤1. 5 dB@6 GHz; isolation≥37 dB@2 GHz, ≥31 dB@ 4 GHz, ≥27 dB@6 GHz, input and output VSWS≤1. 5.1 within 5 GHz, input 1 dB compression point P-1db≥33 dBm, IP3≥42 dBm. This switch is applicable for mobile communication system.
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期142-145,162,共5页
Research & Progress of SSE
关键词
互补金属氧化物半导体
绝缘衬底上硅
射频开关
驱动器
集成
complementary metal oxide semiconductor（CMOS）
silicon-on-insulator（SOI）
RF switch
driver
integration
