期刊文献+

SF_6和CHF_3混合气体各向异性刻蚀WN研究

The Research of Anisotropic Etching of WN in SF_6/CHF_3 Plasma
下载PDF
导出
摘要 提出了在SF6/CHF3等离子中反应离子刻蚀WN金属层的方法,通过对各工艺参数(功率、压力、流量配比等)对WN刻蚀钻蚀量影响的研究,优化了工艺参数,获得了易于控制的侧向钻蚀量小于0.1μm的WN各向异性刻蚀条件,使BVEBO成品率由85%提高到95%,从而提升了芯片生产成品率。 WN metal layer was anisotropically etched by reactive ion etching(RIE)in SF6/ CHF3 plasma. An optimized research result was obtained by adjusting the process parameters, such as RF power, pressure and gas flow rate. On the basis of this research, the yield of BVEBO can be increased from 85% to 95%, so that the yield and reliability of chip production can be improved.
出处 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期188-191,共4页 Research & Progress of SSE
关键词 六氟化硫 反应离子刻蚀 氮化钨 各向异性 SF6 reactive ion etching WN anisotropy
  • 相关文献

参考文献3

  • 1段雪,邓建国,刘英坤,王书明,苏丽娟,韩东,林率兵.多层难熔金属的刻蚀工艺技术研究[J].真空科学与技术学报,2005,25(6):463-466. 被引量:3
  • 2Peter H Singer. Dry etching of SiO2 and Si3N4 [J]. Semiconductor International, 1986,5 : 98-103.
  • 3MichaelQuirk JulianSerda(美).半导体制造技术[M].北京:电子工业出版社,2004..

二级参考文献8

  • 1崔玉德,王佑祥,顾诠.电子束、离子束与蓝宝石相互作用的研究[J].真空科学与技术,1995,15(3):162-166. 被引量:1
  • 2Campbell Stephen A.The Science and Engineering of Microelectronic Fabrication.Beijing:Publishing House of Electronics Industry,2003:258.
  • 3Kazuo H,Yoshiharu O,Masatoshi O D A et al.IEEE Trans on Electron Devices,1981,ED28:1323.
  • 4Belhaouari J B,Gonzalez J J,Gleizes Aet al.J Appl Phys,1998,31:1219.
  • 5Legtenberg Rob,Jansen Henri,de Boer Meint et al.Electrochem Soc,1995,142:2020.
  • 6Durandet A,Arnal Y,Pelletier Jet al.J Appl Phys,1990,67:2298.
  • 7Athieu H J,Mathieu J B,Meclure D E et al.Vac Sci Tech,1977,14:1023.
  • 8Standaert Tefm.Vac Sci Technol,1998,A16:239.

共引文献22

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部