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复合介质L型侧墙形成技术 被引量：3

Technology to Form Multiple-dielectric-layer L-shaped Sidewall
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摘要 :给出了 E- B之间复合介质 L型侧墙的形成技术。这种工艺技术控制容易 ,成品率高 ,均匀性好。已将这种工艺技术应用于双层多晶硅双极晶体管的制作工艺中 ,器件具有良好的电学特性。 This paper introduces the technology to form multiple dielectric layer L shaped sidewall between emitter and base. It has been proven that this technology can be easily controlled and high rate of products and good uniformity have been achieved. This technology has been applied to the double layer polysilicon bipolar transistor process and excellent transistor performance has been obtained.
作者 金海岩 高玉芝 冯国进 莫邦燹 张利春
机构地区 北京大学微电子研究所
出处 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期69-74,共6页 Research & Progress of SSE
关键词 多晶硅发射极 复合介质 双极晶体管 L型侧墙形成技术 bipolar technology poly Si emitter self aligned sidewall
分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献4

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  • 3王阳元，多晶硅发射极晶体管及其集成电路，1992年，461页
  • 4Ning T H，Proc IEEE，1986年，74卷，12期，1669页

同被引文献14

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  • 10Ziegler J F, Crowder B L, Kleinfelder W J. Experimental evaluation of high energy ion implantation gradients for possible fabrication of a transistor pedestal collector. IBM J Res Develop, 1971;15:452-4566

引证文献3

二级引证文献4

固体电子学研究与进展
2001年 第1期

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