摘要
给出了一种简单而有效的碲镉汞 (MCT)离子注入工艺模型 ,研究了应用该模型进行计算机模拟的数值方法 ,最后讨论了该模型中一些重要参数的确定方法。
This paper presented a simply but effective ion implantation modeling for simulating junction formation of MCT, researched digital computer simulation method of this model, and discussed how to define some important parameters.
出处
《红外技术》
CSCD
北大核心
2001年第1期19-22,共4页
Infrared Technology
关键词
碲镉汞
离子注入
计算机模拟
HgCdTe
ion implantation
modeling
simulation
