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由正弦结构图产生的莫尔条纹各影响因素分析

Analysis on Effect of Various Factors on Moiré Information
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摘要 莫尔技术以其特有的优点在光电三维面型测量中占有举足轻重的地位。正确理解各种影响因素对莫尔条纹的影响 ,对莫尔技术的正确应用有着重要的指导意义。分析了由正弦结构形成莫尔信息的几种方式 ,详细地研究了影响此种莫尔信息的几种因素———频率、相位、幅值、背景光强、结构间夹角等。得出了一些有意义的结论 ,给出了正确应用莫尔信息的一般原则。 Moiré technique plays an important part in opto-electronic 3D measurement. It is of great importance to comprehend the effect of various factors on Moiré information. The article analyses some important factors such as frequency, phase, background light, amplitude and the angle between the two structures. Some useful conclusion are obtained based on above analysis.
出处 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期65-68,共4页 Semiconductor Optoelectronics
关键词 三维测量 莫尔技术 正弦结构图 莫尔条纹 D measurement Moiré technique sine structur
  • 相关文献

参考文献6

  • 1李根乾.光电检测方法应用于电子工业质量控制的关键技术研究[M].西安:西安交通大学,1998..
  • 2赵宏.复杂廓形的三维光电测量技术理论及应用[M].西安:西安交通大学,1995..
  • 3郝煜栋,赵洋,李达成.光学投影式三维轮廓测量技术综述[J].光学技术,1998,24(5):57-60. 被引量:73
  • 4李根乾,学位论文,1998年
  • 5赵宏,学位论文,1995年
  • 6Chang Ming,Opt Lasers Eng,1991年,15卷,127页

共引文献72

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