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二合一芯片
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摘要
由于整合开关器件与反并联二极管这一概念具有难以攻克的技术挑战,因此近年来这一技术仅被用于低功率组件(如IGBT和MOSFET)以及特殊应用。另外,IGCT等大面积双极型器件已经采用了单片集成技术,但其中的IGCT和二:极管需要完全分离的硅区。
作者
Munaf Rahimo
Liutauras Storasta
Chiara Corvasce
Arnost Kopta
出处
《电气时代》
2014年第5期42-44,共3页
Electric Age
关键词
二合一
单片集成技术
芯片
开关器件
IGCT
IGBT
功率组件
二极管
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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