一种N层插入形成分离P体区的新型槽栅IGBT
A NEW Trough Gate IGBT of Seperate P-Body Region because N-Layer Insert
摘要
绝缘栅双极晶体管（IGBT）在功率电子技术中应用，比如电动机控制和高压开关模式电源等方面具有重要的意义。文中提出了一种新型的IGBT结构，就是在普通IGBT的P体区中插入N层，形成分离的P体区。这种结构导通压降低，同时又保持击穿电压不受影响。在集电极电流密度为5×10-5A／μm情况下，新结构的导通压降比普通结构的器件可以降低约25％。
出处
《电源技术应用》
2014年第4期12-16,共5页
Power Supply Technologles and Applications
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