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InAs/GaAs自组织量子点激发态的激射 被引量:2

Excited-State Lasing of InAs/GaAs Self-Organized Quantum Dot
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摘要 将覆盖层引入生长停顿的量子点结构作为激光器有源区来研究量子点激光器受激发射机制 .由于强烈的能带填充效应 ,光致发光谱和电致发光谱中观察到对应于量子点激发态跃迁的谱峰 ,大激发时其强度超过基态跃迁对应的谱峰 .最后激发态跃迁达到阈值条件 ,激射能量比结构相似但不含量子点的激光器低 。 To investigate the origin of stimulated emission of a Quantum Dot (QD) laser, lasers with or without QDs as active region have been grown by MBE According to the PL and EL properties, the QD energy levels in QD laser are distinctively resolved due to the band filling effect, and the lasing energy is realized at the excited level, which is much lower than that of the laser with only a wetting layer The reported QD laser has proved to be lasing from the excited state of quantum dots
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期295-298,共4页 半导体学报(英文版)
基金 国家攀登计划和国家自然科学基金资助项目! (编号 :697760 16)&&
关键词 自组织量子点 受激发 砷化铟 砷化镓 激发态 self organized quantum dots QD laser stimulated emission band filling effect
  • 相关文献

参考文献3

二级参考文献15

  • 1杨小平 等.-[J].半导体学报,1996,17:869-869.
  • 2王志明 邓元明 等.-[J].物理学报,1998,47:89-89.
  • 3Xie Q H,J Vac Sci Technol B,1996年,13卷,2203页
  • 4杨小平,半导体学报,1996年,17卷,869页
  • 5Xia Qianghua,Phys Rev Lett,1995年,75卷,2542页
  • 6Yao J Y,J Appl Phys,1991年,69卷,2224页
  • 7Xie Q H,J Vac Sci Technol B,1996年,13卷,2203页
  • 8杨小平,半导体学报,1996年,17卷,869页
  • 9Xie Q,Appl Phys Lett,1994年,65卷,2051页
  • 10王志明,半导体学报,1997年,18卷,550页

共引文献10

同被引文献3

引证文献2

二级引证文献18

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