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采用热增强封装的150V N沟道MOSFET
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摘要
SiA446DJ是一款采用小尺寸、热增强型SC-70封装的150V N沟道M0SFET，其占位面积为2mm×2mm，在10VF具有业内最低的导通电阻，可通过减少传导和开关损耗，在各种空间受限的应用中提高效率。
出处
《今日电子》
2014年第6期67-67,共1页
Electronic Products
关键词
N沟道MOSFET
SC-70封装
导通电阻
开关损耗
小尺寸
增强型
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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今日电子
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