用硅烷等离子体引起沉积非晶硅的机制
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1铁电薄膜PVD工艺概述[J].等离子体应用技术快报,1994(1):1-2.
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2刘赓胥.实现无距离等离子体应用的高效微波耦合器件[J].等离子体应用技术快报,1996(3):11-11.
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3Qingyun Yang,Lee Chen.低Te等离子体应用于finFET FEOL刻蚀的挑战[J].功能材料与器件学报,2013,19(5):255-258.
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4千治,春声.用磁控管方式溅射的电子回旋共振等离子体沉积技术[J].国外核聚变与等离子体应用,1990(1):69-76.
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5谢扩军,季天仁,刘盛纲.多功能微波等离子体应用基础研究设备[J].电子科技大学学报,1996,25(4):403-407. 被引量：3
-
6Whang,KW,吴鼐.低温电子回旋共振等离子体蚀刻[J].国外核聚变与等离子体应用,1994(2):57-62.
-
7Sanshui Xiao,Xiaolong Zhu,Bo-Hong Li,N. Asger Mortensen.Graphene-plasmon polaritons： From fundamental properties to potential applications[J].Frontiers of physics,2016,11(2):31-43. 被引量：2
-
8Yizhuo He,Junxue Fu,Yiping Zhao.Oblique angle deposition and its applications in plasmonics[J].Frontiers of physics,2014,9(1):47-59. 被引量：2
-
9汝丽丽,黄建军,高亮,齐冰.Influence of Microwave Power on the Properties of Hydrogenated Diamond-Like Carbon Films Prepared by ECR Plasma Enhanced DC Magnetron Sputtering[J].Plasma Science and Technology,2010,12(5):551-555. 被引量：2
-
10朱程,杨金生,李会成,赵景昌,雷雪峰.30kW连续波磁控管的研制[J].真空电子技术,2013,26(5):110-111. 被引量：3
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