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英飞凌新增650V RC—H5器件可降低高达30%的开关损耗

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摘要 英飞凌科技股份公司全新推出一款单片集成逆导二极管的650V器件,再次扩展其最新一代逆导软开关IGBT(绝缘栅双极品体管)产品线。
出处 《电子产品世界》 2014年第6期63-63,共1页 Electronic Engineering & Product World
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