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日本CVD技术的新进展 被引量:1

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摘要 表面改性有两种类型,其一为表面处理,由此改变表面的化学成分或物理、机械性能;其二为薄膜沉积或镀层,由此产生一新的表面。近二十年,表面改性技术由于新工艺的出现发展迅速,在微电子学工业得到广泛应用。并取得显著经济效益。开发表面改性技术的主要目的即降低成本(用廉价的材料于一些特殊用途)、改善性能(如耐磨性、耐蚀性)及获得独特的性能(如特殊的电、光特性)。在日本,气相沉积技术已很普及,工业界、政府,大学试验室做了大量的研究工作。日本这一技术可以说处于世界先进水平。
作者 刘晔东
机构地区 北京机床研究所
出处 《国外金属热处理》 1991年第1期32-34,共3页 Heat Treatment of Metals Abroad
  • 相关文献

同被引文献2

  • 1李松辉,陈大凯.PCVD TiN膜基结合强度初探[J].材料保护,1989(8):28-29. 被引量:3
  • 2Kiichiro Kamata,Yuuji Maeda,Minoru Moriyama. Hybridization between Si3N4 and SiC films by plasma CVD[J] 1986,Journal of Materials Science Letters(10):1051~1054

引证文献1

二级引证文献13

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