摘要
采用脉冲激光沉积方法 (PLD)制备了Au/PZT/BIT/p Si结构铁电存储二极管 .对其铁电性能和存储特性进行了实验研究 .铁电性能测试显示较饱和的、不对称的电滞回线 ,其剩余极化和矫顽场分别约为 1 5 μC/cm2 和 48kV/cm ;1 0 9次开关极化后剩余极化和矫顽场分别仅下降 1 0 %和增加 1 2 % ;观察到源于铁电极化的C V和I V特性回线 ;电流密度 + 4V电压下为 6 .7× 1 0 -8A/cm2 ;在 + 2V的读电压下 ,读“1”和读“0”电流有 0 .0 5 μA的明显差别 ;保持时间达 30min以上 .
出处
《中国科学（E辑）》
CSCD
北大核心
2001年第1期8-12,共5页
Science in China(Series E)
基金
国家自然科学基金!(批准号 :6 97710 2 4)
湖北省自然科学基金!(批准号 :98J0 36 )
