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大直径HgCdTe晶体的结构缺陷分析

Analysis of Structure Defect in the Large Diameter HgCdTe Crystal
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摘要 用加压 改进Bridgman法生长的大直径HgCdTe( =4 0mm)晶体 ,通过X射线形貌技术分析表明 ,晶体结构包含有大量的亚晶粒 ,同时在晶片中观察到夹杂、位错、应力区等结构缺陷。结合X射线双晶衍射回摆曲线分析表明 ,亚晶粒和测试晶面间的取向差约为 4 0″~ 2 0 0″ ,大小约为 0 .5mm× 0 .5mm~ 2mm× 2mm。 X rays topographs of the large diameter HgCdTe crystal were taken. The results show that various crystal defects such as sub grain, inclusion, dislocation, stress region have observed. The measurement of the full width at half maximum (FWHM) show that misorientation of sub grain between grain about 40″~200″ and the area about 0.5 mm×0.5 mm~2 mm×2 mm.
机构地区 昆明物理研究所
出处 《红外技术》 CSCD 北大核心 2001年第2期4-7,共4页 Infrared Technology
关键词 大直径HgCdTe 结构缺陷 形貌像 回摆曲线 X射线 红外 large diameter HgCdTe structure defect X rays topographs the full width at half maximum (FWHM)
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参考文献2

二级参考文献4

  • 1R. Triboulet,A. Tromson-Carli,D. Lorans,T. Nguyen Duy. Substrate issues for the growth of mercury cadmium telluride[J] 1993,Journal of Electronic Materials(8):827~834
  • 2S. M. Johnson,J. A. Vigil,J. B. James,C. A. Cockrum,W. H. Konkel,M. H. Kalisher,R. F. Risser,T. Tung,W. J. Hamilton,W. L. Ahlgren,J. M. Myrosznyk. MOCVD grown CdZn Te/GaAs/Si substrates for large-area HgCdTe IRFPAs[J] 1993,Journal of Electronic Materials(8):835~842
  • 3Y. P. Chen,S. Sivananthan,J. P. Faurie. Structure of CdTe(111)B grown by MBE on misoriented Si(001)[J] 1993,Journal of Electronic Materials(8):951~957
  • 4周美亮,安博文.基于红外面阵传感器的小目标检测算法[J].传感器与微系统,2014,33(11):142-144. 被引量:6

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