摘要
本文报道在JT－60U和JFT－2M中H模式的最近实验结果。在JT－60U中具有边缘输运位垒的增强约束模式（H模式）的特点是高的边缘离子温度。约束改善完全与边缘离子温度有关。在JT－60U中在弱磁场（－2T）时的H模式与JFT－2M中的H模式具有类似特征：Da发射的迅速减小。然而，在强磁（－4T）和低密度时的H模式中，在JT－60U中没有观察到清楚的转变，虽然约束仍因边缘输运位垒而得到改善。在两个托马克中也研究了碰撞性和输运位垒的宽度，并且与Shaing理论作了比较。在JT－60U中证明了H转变使高βp模式放电约束改善。由于这种改善已经达到的聚变三乘积的创纪录值为1.1×10^21m^-3·s·keV.在JT－60U中，通过控制边缘定域模（ELM）的重复率，也已证实H因数约为1.8的准稳态H模式运行。在JFT－2M中使用一种新的主动方法，即螺旋磁场扰动，已成功地诱发了ELM活性，结果获得了稳态H模式。
