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反铁电液晶正铁电相的介质分散
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摘要
我们研究了反铁电液晶(R)-1-甲基庚基-4(4^-n-十二烷基氧联苯-4’碳烃氧基)-3-氟-苯甲酸盐铁电SmC相和正铁电SmCr相的介电特性。对于SmCr相,在实验的频率范围内判别出3种介质张驰。低频下具有高介质损耗的2种弛豫过程归因于锥角φ附近分子的方位变化。这些驰豫现象与温度和外加偏置电场间有函数关系。除了2个低频损耗过程外,还观察到一个额外的、强度较弱的损耗过程。
作者
邸建华
出处
《液晶通讯》
CAS
1995年第1期58-64,共7页
关键词
液晶
反铁电液晶
正铁电相
介电特性
分类号
TN304.9 [电子电信—物理电子学]
O753.2 [理学—晶体学]
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液晶通讯
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