中科院全透明氧化物阻变器件研究取得进展

基于电致阻变效应的电阻式随机存储器（RRAM）集非易失性、非破坏性读出、高存取速度、工艺和器件结构简单、可嵌入功能强等优点于一身，有望弥补综合动态随机存储器（DRAM）、静态随机存储器（SRAM）和闪存（FLASH）等三大主流存储器的易失性和擦写速度慢等缺点，是下一代存储器的候选者之一。