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GaN器件在军事领域中的应用
被引量：
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摘要
GaN基半导体具有击穿电场强度高、饱和电子迁移率高、介电常数小、热导率大、抗辐射能力强等优点,广泛应用军用电子器件的制造。介绍了GaN器件在军事雷达、探测器以及激光引信等军事领域中的应用。
作者
杨贤军
机构地区
柳州职业技术学院电子信息工程系
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第7期93-94,共2页
Electronic Components And Materials
关键词
GAN
电子元件
电子器件
军事领域
雷达
探测器
激光器
分类号
TN6 [电子电信—电路与系统]
引文网络
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电子元件与材料
2014年 第7期
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