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研磨倾斜角度对扩展电阻测试量值的影响

Effect of choosing lapping bevel angle on measurement accuracy of spreading resistance
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摘要 讨论了在检测半导体器件和集成电路芯片时 ,不同研磨倾斜角度对扩展电阻量值的影响。 The effects of choosing lapping bevel angle during testing semiconductor devices and LSI chips by spreading resistance technique on measurement accuracy have been investigated in this paper.
作者 吴晓虹 闵靖
机构地区 上海市计量测试技术研究院
出处 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2001年第1期98-100,共3页 Journal of Functional Materials and Devices
关键词 扩展电阻技术 倾斜角 扩散 离子注入 半导体器件 集成电路 研磨 Spreading resistance technique Small bevel angle Diffusion Ion implantation
分类号 TN305.2 [电子电信—物理电子学] TN405.2 [电子电信—微电子学与固体电子学]
  • 相关文献

参考文献7

  • 1陆逢涛.扩展电阻技术[J].半导体技术,1987,(5):47-53.
  • 2金德宣 李宏扬.VLSI工艺技术[M].上海:半导体技术编辑部,1985.70-72.
  • 3张敬海.硅材料质量和硅器件工艺[M].上海:上海科学技术文献出版社,1979.111.
  • 4陆逢涛，半导体技术，1987年，5期，47页
  • 5金德宣，VLSI工艺技术，1985年，70页
  • 6郑家祥，电子测量原理，1980年，11页
  • 7张敬海，硅材料质量和硅器件工艺，1979年，111页

共引文献1

功能材料与器件学报
2001年 第1期

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