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半导体所在二维GaS超薄半导体的基础研究中取得新进展

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摘要 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室在二维GaS超薄半导体的基础研究中取得新进展。二维半导体材料拥有独特的物理性质,可以应用于不同的技术领域,因此成为了纳米交叉学科的研究热点。石墨烯是目前研究最为广泛的二维材料,但由于其带隙为零,限制了它在许多领域中的应用。作为石墨烯的类似物,具有半导体带隙的金属硫化物备受关注。这些二维半导体材料的光电器件具有优越的性能,并且可以设计复杂的器件结构。
出处 《现代材料动态》 2014年第6期22-22,共1页 Information of Advanced Materials
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