钠硫储能电池产业化工作取得新进展

中国科学院上海硅酸盐研究所立足自主研发，在掌握直径50．8mm（2英寸）、76．2mm（3英寸）碳化硅单晶生长技术之后，近日成功生长出直径100mm（4英寸）4H晶型碳化硅单晶。碳化硅单晶正朝着大尺寸的方向迅速发展。碳化硅单晶是一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大，饱和漂移速度高，临界击穿场强大，热导率高等诸多特点，主要用于制作高亮度LED、二极管、MOSFET、IGBT等器件。