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G652.D光纤在长波段的传输损耗研究
被引量：
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摘要
通过对光纤损耗机理进行了深入分析,并采用VAD工艺调整GeO_2含量和芯层直径,分析了制备过程中GeCl4流量和芯层直径与瑞利散射的关系。实验结果表明,G652.D光纤的瑞利散射随着GeCl4流量及纤芯直径的增加而增加,且掺Ge量的影响大于芯径变化的影响。
作者
秦钰
吴椿烽
陶伟
沈一春
钱宜刚
机构地区
中天科技精密材料有限公司
出处
《现代传输》
2014年第3期60-62,共3页
Modern Transmission
关键词
低损耗
吸收
瑞利散射
超长距离传输
VAD
分类号
TN253 [电子电信—物理电子学]
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