硅烷交联聚乙烯的电击穿

本文研究了在30℃至160℃温度范围里,由乙烯——乙烯基三甲氧基硅烷共聚制得的硅烷交联聚乙烯的电击穿问题。在不考虑交联方法和交联度时,在30℃时,施加一个脉冲电压,其结果是:交联聚乙烯的电场强度FB比未交联的低密度聚乙烯的电场强度来得低,这种情况是个例外。我们讨论了伴随交联过程,导致电场强度减小的原因是:在无定形压域的非均相内,有微孔形成之故。进一步讨论了在室温范围里,硅烷交联聚乙烯的击穿机理,以随机分布弱点模型和单电子雪崩击穿理论作为统计方法的基础。在高于室温的区域,还比较了直流电压和脉冲电压下的FB值,讨论了空间充电效应对电场强度FB的影响。