锰氧化物CMR效应的产生机理

在对锰氧化物的晶体结构、电子结构和电子态及其CMR效应的可能机理进行全面论述的基础上 ,报道作者对La0 .67Ca0 .33MnO3掺Ga磁电阻的研究。实验结果表明Ga掺杂破坏了DE作用 ,使电阻率上升而磁有序转变推移到低温。但值得强调指出的是 ,Ga掺杂使磁电阻效应显著提高 。